Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 180.3989 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IGLD65R080D2AUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGLD65R080D2AUMA1
Popis	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 18A (Tc) 68W (Tc) Montáž na povrch PG-LSON-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGLD65R080D2AUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,6V při 1,8mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 3.3 nC @ 3 V
Řada CoolGaN™ G5	Vgs (max) -10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 240 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 68W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-LSON-8-2
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18A (Tc)	Pouzdro 8-LDFN podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 5,5A