Name: IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R110D2AUMA1TR-ND
Price: 113.8247 CZK
Availability: InStock

IGLD65R110D2AUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGLD65R110D2AUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGLD65R110D2AUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGLD65R110D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGLD65R110D2AUMA1
Popis	GANFET N-CH 650V 14A 8LDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 14A (Tc) 51W (Tc) Montáž na povrch PG-LSON-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGLD65R110D2AUMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™ G5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	14A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	-
Rds zap (max) při Id, Vgs	140mOhm při 4A
Vgs(th) (max) při Id	1,6V při 1,3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2.4 nC @ 3 V
Vgs (max)	-10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	170 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	51W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-LSON-8-2
Pouzdro	8-LDFN podložka pro odvod tepla

Jednotková cena bez DPH:	94,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:	113,82470 Kč

IGLD65R110D2AUMA1