Name: BSC050N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC050N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 67.0703 CZK
Availability: InStock

BSC050N10NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSC050N10NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSC050N10NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSC050N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC050N10NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 16A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC050N10NS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	16A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 72µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4300 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-7
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC050

Jednotková cena bez DPH:	55,43000 Kč
Jednotková cena s DPH:	67,07030 Kč

BSC050N10NS5ATMA1