Name: IRL80HS120
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL80HS120TR-ND
Price: 36.5904 CZK
Availability: InStock

IRL80HS120
Číslo produktu DigiKey	IRL80HS120TR-ND - Páska a cívka (TR) IRL80HS120CT-ND - Řezaná páska (CT) IRL80HS120DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRL80HS120
Popis	MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 12,5A (Tc) 11,5W (Tc) Montáž na povrch 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRL80HS120 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	32mOhm při 7,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 10µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	540 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	11,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Pouzdro	6-PowerVDFN
Základní číslo produktu	IRL80HS120

Jednotková cena bez DPH:	30,24000 Kč
Jednotková cena s DPH:	36,59040 Kč

IRL80HS120