Name: BSC031N06NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC031N06NS3GATMA1TR-ND
Price: 75.9638 CZK
Availability: InStock

BSC031N06NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC031N06NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC031N06NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC031N06NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC031N06NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Tc) 2,5W (Ta), 139W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC031N06NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,1mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 93µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	11000 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 139W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC031

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	19,24588 Kč	96 229,40 Kč
10 000	19,13705 Kč	191 370,50 Kč

Jednotková cena bez DPH:	62,78000 Kč
Jednotková cena s DPH:	75,96380 Kč

BSC031N06NS3GATMA1