Name: IRFH7085TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH7085TRPBFTR-ND
Price: 72.6605 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFH7085TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFH7085TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRFH7085TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRFH7085TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRFH7085TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 100A (Tc) 156W (Tc) Montáž na povrch PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRFH7085TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,7V při 150µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 165 nC @ 10 V
Řada StrongIRFET™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6460 pF @ 25 V
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Rozptylový výkon (Max) 156W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Tc)	Pouzdro 8-PowerVDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu IRFH7085
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,2mOhm při 75A, 10V