Name: BSC027N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC027N04LSGATMA1TR-ND
Price: 41.1642 CZK
Availability: InStock

BSC027N04LSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC027N04LSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC027N04LSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC027N04LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC027N04LSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC027N04LSGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	24A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,7mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 49µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6800 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC027

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	7,46143 Kč	37 307,15 Kč
10 000	7,23381 Kč	72 338,10 Kč

Jednotková cena bez DPH:	34,02000 Kč
Jednotková cena s DPH:	41,16420 Kč

BSC027N04LSGATMA1