Name: BSC009NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC009NE2LS5IATMA1TR-ND
Price: 74.9474 CZK
Availability: InStock

BSC009NE2LS5IATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC009NE2LS5IATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC009NE2LS5IATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC009NE2LS5IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC009NE2LS5IATMA1
Popis	MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 40A (Ta), 217A (Tc) 2,5W (Ta), 74W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC009NE2LS5IATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Ta), 217A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,95mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3200 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 74W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-7
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC009

Jednotková cena bez DPH:	61,94000 Kč
Jednotková cena s DPH:	74,94740 Kč

BSC009NE2LS5IATMA1