8-Power TDFN
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC010NE2LSIATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSC010NE2LSIATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSC010NE2LSIATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSC010NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSC010NE2LSIATMA1
Popis
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSC010NE2LSIATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
38A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,05mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4200 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 96W (Tc)
Provozní teplota
-
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-7
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSC010
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 8 534
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
138,74000 Kč38,74 Kč
1026,35000 Kč263,50 Kč
10020,11970 Kč2 011,97 Kč
50016,11784 Kč8 058,92 Kč
1 00015,52710 Kč15 527,10 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00013,18710 Kč65 935,50 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:38,74000 Kč
Jednotková cena s DPH:46,87540 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
8 Položky
1EDI60N12AFXUMA1

1EDI60N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

38,74000 Kč
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,37000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,50000 Kč
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

22,70000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,62000 Kč
IRS2007STRPBF

IRS2007STRPBF

IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC

Infineon Technologies

17,50000 Kč
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

44,16000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,75000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON

Infineon Technologies

46,24000 Kč
BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON

Infineon Technologies

9,79000 Kč
CMMR1U-02 TR PBFREE

CMMR1U-02 TR PBFREE

DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F

Central Semiconductor Corp

26,45000 Kč
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

Vishay Siliconix

61,24000 Kč
BSC028N06NSATMA1

BSC028N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON

Infineon Technologies

54,57000 Kč
STP45NF06

STP45NF06

MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB

STMicroelectronics

17,29000 Kč
BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON

Infineon Technologies

27,70000 Kč
BSC050N03LSGATMA1

BSC050N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON

Infineon Technologies

21,45000 Kč
CSD17310Q5A

CSD17310Q5A

MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON

Texas Instruments

31,87000 Kč