Name: BSC007N04LS6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC007N04LS6ATMA1TR-ND
Price: 115.8575 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC007N04LS6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC007N04LS6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC007N04LS6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC007N04LS6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC007N04LS6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 381A (Tc) 188W Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC007N04LS6ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,3V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 94 nC @ 4.5 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8400 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 188W
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 381A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu BSC007
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,7mOhm při 50A, 10V