Name: BSC022N04LS6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC022N04LS6ATMA1TR-ND
Price: 45.3629 CZK
Availability: OutOfStock

BSC022N04LS6ATMA1 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 2 490

Jednotková cena : 45,18000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 4 907

Jednotková cena : 63,05000 Kč

Similar

Rohm Semiconductor

Skladem : 16 294

Jednotková cena : 82,55000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC022N04LS6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC022N04LS6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC022N04LS6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC022N04LS6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC022N04LS6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC022N04LS6ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	27A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,2mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1900 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 79W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC022