Name: DMNH6008SCTQ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6008SCTQDI-ND
Price: 66.308 CZK
Availability: OutOfStock

DMNH6008SCTQ
Číslo produktu DigiKey	DMNH6008SCTQDI-ND
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMNH6008SCTQ
Popis	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 130A (Tc) 210W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMNH6008SCTQ Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	130A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	8mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max)	20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2596 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	210W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	DMNH6008

Jednotková cena bez DPH:	54,80000 Kč
Jednotková cena s DPH:	66,30800 Kč

DMNH6008SCTQ