STP85NF55 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,54842 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,59350 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 12 137
Jednotková cena : 2,91933 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 354
Jednotková cena : 2,22000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 448
Jednotková cena : 2,38000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 538
Jednotková cena : 3,43000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 4 648
Jednotková cena : 3,07000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 9 500
Jednotková cena : 0,96734 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 13 394
Jednotková cena : 1,79000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 18 907
Jednotková cena : 1,24000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 155
Jednotková cena : 1,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 785
Jednotková cena : 2,19000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 214
Jednotková cena : 3,21000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 3,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STP85NF55

Číslo produktu DigiKey
497-STP85NF55-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
STP85NF55
Popis
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
STP85NF55 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3700 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.