STP85NF55 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 13,22643 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 14,31354 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3
Jednotková cena : 71,66000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 12 137
Jednotková cena : 70,40539 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 355
Jednotková cena : 42,08000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 578
Jednotková cena : 36,04000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 658
Jednotková cena : 78,11000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 4 654
Jednotková cena : 31,87000 Kč
Katalogový list

Similar


Rochester Electronics, LLC
Skladem : 9 500
Jednotková cena : 23,32959 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 8 634
Jednotková cena : 30,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 37
Jednotková cena : 45,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 19 610
Jednotková cena : 26,04000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 339
Jednotková cena : 12,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 627
Jednotková cena : 40,62000 Kč
Katalogový list
TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STP85NF55

Číslo produktu DigiKey
497-STP85NF55-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
STP85NF55
Popis
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
STP85NF55 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3700 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.