IPP80N06S2L11AKSA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPP80N06S2L11AKSA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 85,72000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP80N06S2L11AKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPP80N06S2L11AKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP80N06S2L11AKSA1
Popis	MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 80 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2075 pF @ 25 V
Balení Trubice	Rozptylový výkon (Max) 158W (Tc)
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 55 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 80A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3-1
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-220-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 60A, 10V	Základní číslo produktu IPP80N
Vgs(th) (max) při Id 2V při 93µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (1)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
IXTP90N055T2	IXYS	0	IXTP90N055T2-ND	85,72000 Kč	Similar

Skladem: 0

Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.

IPP80N06S2L11AKSA1