FDP75N08A je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 3 068
Jednotková cena : 90,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 14,46472 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 31
Jednotková cena : 56,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 926
Jednotková cena : 36,00000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 479
Jednotková cena : 79,36000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 968
Jednotková cena : 59,78000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 40
Jednotková cena : 37,47000 Kč
Katalogový list
TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDP75N08A

Číslo produktu DigiKey
FDP75N08A-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FDP75N08A
Popis
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 75 V 75A (Tc) 137W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
75 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
11mOhm při 37,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4468 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
137W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.