Silicon Carbide MOSFET

Silicon Carbide MOSFET

STMicroelectronics

Unlike other SiC transistors like BJTs and JFETs, the SiC MOSFET is very easy to drive, similar to standard MOSFETs. A simple drive circuit reduces the number of components and complexity of the final design as compared to non-MOSFET SiC solutions.

Related Parts

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisNapětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)Trvalý odtokový proud (Id) při 25°CAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247SCT30N120SICFET N-CH 1200V 40A HIP2471200 V40A (Tc)290 - Immediate$414.52Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247SCT20N120SICFET N-CH 1200V 20A HIP2471200 V20A (Tc)584 - Immediate$255.17Zobrazit podrobnosti
PTM Published on: 2016-05-06

Related Product Highlight

STPOWER SiC MOSFETs STMicroelectronics' silicon-carbide power MOSFETs offer higher levels of efficiency, consistency, and reliability for energy related applications.
Power MOSFETs STMicroelectronics' power MOSFETs are designed for applications which include switch-mode power supplies, lighting, DC-DC converters, motor control, and automotive.

Related Articles and Blogs

Polovodiče se širokým zakázaným pásmem přetvářejí svět dopravy Celý sektor dopravy prochází radikální transformací díky řešením pro elektrické a hybridní vozy a čistší hromadnou dopravu.
Polovodiče WBG v letectví a družicích WBG polovodiče přinášejí několik výhod při převodu energie, například zvýšenou hustotu výkonu a účinnost i snížení velikosti a hmotnosti systému.
Working with SiC MOSFETS: Challenges and Design Recommendations SiC MOSFETs bring enormous benefits but only if designers are aware of design obstacles such as parasitics, ringing, and conduction and switching losses.

Related Product Training Modules

ST MOSFETs To give users a quick overview of basic MOSFET parameters and fundamentals.