SCT20N120 STMicroelectronics | Diskrétní polovodičové produkty

SCT20N120
Číslo produktu DigiKey	497-15170-ND
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT20N120
Popis	SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Průchozí otvor HiP247™
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SCT20N120 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	290mOhm při 10A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	45 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	650 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	175W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 200°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	HiP247™
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SCT20

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

Souhlasím se zasíláním marketingových e-mailů od společnosti DigiKey (volitelné). Beru na vědomí, že svůj souhlas mohu kdykoli odvolat. Přečtěte si prosím naše Prohlášení o ochraně osobních údajů.