SIHP23N60E-GE3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUP90100E-GE3

Číslo produktu DigiKey
742-SUP90100E-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SUP90100E-GE3
Popis
N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Standardní dodací lhůta výrobce
28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
10,9mOhm při 16A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3930 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 1 028
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
184,36000 Kč84,36 Kč
1062,03200 Kč620,32 Kč
10046,95080 Kč4 695,08 Kč
50038,13348 Kč19 066,74 Kč
1 00034,42158 Kč34 421,58 Kč
2 00033,97894 Kč67 957,88 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:84,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:102,07560 Kč