Name: SUM90100E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUM90100E-GE3-ND
Price: 133.4993 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUM90100E-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SUM90100E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUM90100E-GE3
Popis	N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Standardní dodací lhůta výrobce	42 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 11,4mOhm při 16A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 110 nC @ 10 V
Balení Hromadné balení	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3930 pF @ 100 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 375W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 150A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 621

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Hromadné balení