Name: SQM35N30-97_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM35N30-97_GE3TR-ND
Price: 117.2006 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SQM35N30-97_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQM35N30-97_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQM35N30-97_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQM35N30-97_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQM35N30-97_GE3
Popis	MOSFET N-CH 300V 35A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 300 V 35A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	300 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	97mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5650 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SQM35

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
800	36,54415 Kč	29 235,32 Kč
1 600	35,91613 Kč	57 465,81 Kč

Jednotková cena bez DPH:	96,86000 Kč
Jednotková cena s DPH:	117,20060 Kč

SQM35N30-97_GE3