Name: SQD10N30-330H_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD10N30-330H_GE3TR-ND
Price: 59.048 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQD10N30-330H_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQD10N30-330H_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQD10N30-330H_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQD10N30-330H_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQD10N30-330H_GE3
Popis	MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 300 V 10A (Tc) 107W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 47 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±30V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2190 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 107W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 300 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 330mOhm při 14A, 10V	Základní číslo produktu SQD10
Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 250µA