SQM120N03-1M5L_GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Skladem : 8 958
Jednotková cena : 52,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 47,14051 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 9
Jednotková cena : 110,87000 Kč
Katalogový list
N-kanál 30 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQM120N03-1M5L_GE3

Číslo produktu DigiKey
SQM120N03-1M5L_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SQM120N03-1M5L_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SQM120N03-1M5L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SQM120N03-1M5L_GE3
Popis
MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,5mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
15605 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.