Name: SQD50P06-15L_T4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQD50P06-15L_T4GE3TR-ND
Price: 59.4594 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQD50P06-15L_T4GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQD50P06-15L_T4GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQD50P06-15L_T4GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQD50P06-15L_T4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQD50P06-15L_T4GE3
Popis	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 150 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5910 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 136W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 50A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 15,5mOhm při 17A, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA