Name: SQA410EJ-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQA410EJ-T1_GE3TR-ND
Price: 21.4291 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQA410EJ-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQA410EJ-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQA410EJ-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQA410EJ-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQA410EJ-T1_GE3
Popis	MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 7,8A (Tc) 13,6W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SC-70-6 jednoduchý
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQA410EJ-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	28mOhm při 5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	485 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	13,6W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SC-70-6 jednoduchý
Pouzdro	PowerPAK® SC-70-6
Základní číslo produktu	SQA410