Name: SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 63.0894 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIZF4800LDT-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIZF4800LDT-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 80V 10A (Ta), 36A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAIR® 3x3FS
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIZF4800LDT-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 19mOhm při 10A, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 23nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 950pF při 40V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80V	Pouzdro 12-PowerPair™
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Ta), 36A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAIR® 3x3FS