
SIZ260DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIZ260DT-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIZ260DT-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIZ260DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIZ260DT-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR |
Standardní dodací lhůta výrobce | 17 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 80V 8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montáž na povrch 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIZ260DT-T1-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 2,4V při 250µA |
Výrobce Vishay Siliconix | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 27nC při 10V |
Řada | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 820pF při 40V |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Výkon - max 4,3W (Ta), 33W (Tc) |
Stav součásti Aktivní | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Pouzdro 8-PowerWDFN |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80V | Dodávaná velikost pouzdra 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc) | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 24,5mOhm při 10A, 10V, 24,7mOhm při 10A, 10V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 41,71000 Kč | 41,71 Kč |
| 10 | 26,57000 Kč | 265,70 Kč |
| 100 | 17,87520 Kč | 1 787,52 Kč |
| 500 | 14,15338 Kč | 7 076,69 Kč |
| 1 000 | 12,95627 Kč | 12 956,27 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 11,43632 Kč | 34 308,96 Kč |
| 6 000 | 10,67162 Kč | 64 029,72 Kč |
| 9 000 | 10,28218 Kč | 92 539,62 Kč |
| 15 000 | 9,97936 Kč | 149 690,40 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 41,71000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 50,46910 Kč |











