SISS5808DN-T1-GE3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISS94DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
742-SISS94DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
742-SISS94DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
742-SISS94DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SISS94DN-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce
33 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 200 V 5,4A (Ta), 19,5A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SISS94DN-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
5,4A (Ta), 19,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
75mOhm při 5,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
350 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8S
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8S
Základní číslo produktu
SISS94
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 291
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
130,10000 Kč30,10 Kč
1018,98700 Kč189,87 Kč
10012,59630 Kč1 259,63 Kč
5009,85604 Kč4 928,02 Kč
1 0008,97404 Kč8 974,04 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0007,85383 Kč23 561,49 Kč
6 0007,29011 Kč43 740,66 Kč
9 0007,00298 Kč63 026,82 Kč
15 0006,94386 Kč104 157,90 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:30,10000 Kč
Jednotková cena s DPH:36,42100 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK

Vishay Siliconix

33,89000 Kč
61000618221

61000618221

CONN HEADER SMD 6POS 2.54MM

Würth Elektronik

27,37000 Kč
CDSW3004-HF

CDSW3004-HF

DIODE STANDARD 300V 225MA SOD123

Comchip Technology

4,84000 Kč
CDSOD323-T24C-DSL

CDSOD323-T24C-DSL

TVS DIODE 24VWM 56VC SOD323

Bourns Inc.

24,63000 Kč
LM2105DSGR

LM2105DSGR

105-V 0.5-A/0.8-A HALF-BRIDGE GA

Texas Instruments

20,00000 Kč
PESD5V5C1ULYL

PESD5V5C1ULYL

TVS DIODE 5.5VWM 3.5VC DFN10062

Nexperia USA Inc.

8,42000 Kč
APHD1608LSURCK

APHD1608LSURCK

LED RED CLEAR 1608 SMD

Kingbright

7,16000 Kč
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8

Vishay Siliconix

87,36000 Kč
IRFH5020TRPBF

IRFH5020TRPBF

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

Infineon Technologies

49,26000 Kč
BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON

Infineon Technologies

38,73000 Kč