PG-TSDSON-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ22DN20NS3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSZ22DN20NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSZ22DN20NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSZ22DN20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSZ22DN20NS3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSZ22DN20NS3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
225mOhm při 3,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 13µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
430 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
34W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TSDSON-8
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSZ22DN20
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 4 821
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
131,04000 Kč31,04 Kč
1020,51800 Kč205,18 Kč
10014,22480 Kč1 422,48 Kč
50011,18988 Kč5 594,94 Kč
1 00010,21337 Kč10 213,37 Kč
2 0009,95935 Kč19 918,70 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 0008,26743 Kč41 337,15 Kč
10 0008,13672 Kč81 367,20 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:31,04000 Kč
Jednotková cena s DPH:37,55840 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
7 Položky
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,50000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,62000 Kč
IRS2007STRPBF

IRS2007STRPBF

IC HALF BRIDGE DRVR 600MA 8SOIC

Infineon Technologies

17,50000 Kč
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

66,24000 Kč
IRS20752LTRPBF

IRS20752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,41000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,75000 Kč
2EDS8165HXUMA1

2EDS8165HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

46,87000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
BSC22DN20NS3GATMA1

BSC22DN20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5

Infineon Technologies

22,91000 Kč
BSZ520N15NS3GATMA1

BSZ520N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON

Infineon Technologies

33,54000 Kč
BSZ097N10NS5ATMA1

BSZ097N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON

Infineon Technologies

17,71000 Kč
BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON

Infineon Technologies

25,00000 Kč
BSC12DN20NS3GATMA1

BSC12DN20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Infineon Technologies

38,33000 Kč
BSZ42DN25NS3GATMA1

BSZ42DN25NS3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8

Infineon Technologies

25,83000 Kč
BSZ900N20NS3GATMA1

BSZ900N20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

Infineon Technologies

37,70000 Kč
FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

onsemi

25,62000 Kč
SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK

Vishay Siliconix

29,37000 Kč
BSC500N20NS3GATMA1

BSC500N20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8

Infineon Technologies

53,32000 Kč