
SISS80DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SISS80DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SISS80DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SISS80DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SISS80DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 19 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 20 V 58,3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 2,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 0,92mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 122 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +12V, -8V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 6450 pF @ 10 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 5W (Ta), 65W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8S | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 57,74000 Kč | 57,74 Kč |
| 10 | 37,14500 Kč | 371,45 Kč |
| 100 | 25,43910 Kč | 2 543,91 Kč |
| 500 | 20,43064 Kč | 10 215,32 Kč |
| 1 000 | 19,00949 Kč | 19 009,49 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 16,77866 Kč | 50 335,98 Kč |
| 6 000 | 15,75130 Kč | 94 507,80 Kč |
| 9 000 | 15,53063 Kč | 139 775,67 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 57,74000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 69,86540 Kč |


