Name: SISH615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH615ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 29.9838 CZK
Availability: InStock

SISH615ADN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SISH615ADN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISH615ADN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISH615ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISH615ADN-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 22,1A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SH
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen III
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	22,1A (Ta), 35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,4mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	183 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5590 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8SH
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8SH
Základní číslo produktu	SISH615

Jednotková cena bez DPH:	24,78000 Kč
Jednotková cena s DPH:	29,98380 Kč

SISH615ADN-T1-GE3