N-kanál 20 V 43,7A (Ta), 162A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISA40DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SISA40DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SISA40DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SISA40DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SISA40DN-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce
19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 20 V 43,7A (Ta), 162A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET® Gen IV
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
43,7A (Ta), 162A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
2,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,1mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max)
+12V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3415 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu
SISA40
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 48 331
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
127,93000 Kč27,93 Kč
1017,59600 Kč175,96 Kč
10011,64340 Kč1 164,34 Kč
5009,08290 Kč4 541,45 Kč
1 0008,25851 Kč8 258,51 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0007,71628 Kč23 148,84 Kč
6 0007,15227 Kč42 913,62 Kč
9 0006,86506 Kč61 785,54 Kč
15 0006,54242 Kč98 136,30 Kč
21 0006,35138 Kč133 378,98 Kč
30 0006,28103 Kč188 430,90 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:27,93000 Kč
Jednotková cena s DPH:33,79530 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
SSM3K56FS,LF

SSM3K56FS,LF

MOSFET N-CH 20V 800MA SSM

Toshiba Semiconductor and Storage

6,72000 Kč
PLZ5V1C-HG3_A/H

PLZ5V1C-HG3_A/H

DIODE ZENER 5.23V 960MW DO219AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,36000 Kč
IRFH7084TRPBF

IRFH7084TRPBF

MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN

Infineon Technologies

48,30000 Kč
BLM15HD102SN1D

BLM15HD102SN1D

FERRITE BEAD 1 KOHM 0402 1LN

Murata Electronics

2,94000 Kč
UCC27517DBVR

UCC27517DBVR

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

UMW

11,55000 Kč
BQ76905RGRR

BQ76905RGRR

LOW-POWER MONITOR AND PROTECTOR

Texas Instruments

36,12000 Kč
103AT-11

103AT-11

NTC THERMISTOR 10KOHM 1%

Semitec USA Corp

54,17000 Kč
THVD1510DR

THVD1510DR

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

Texas Instruments

36,12000 Kč
0679L9100-01

0679L9100-01

FUSE BRD MNT 10A 125VAC/VDC 2SMD

Bel Fuse Inc.

12,60000 Kč
BC856BWT1G

BC856BWT1G

TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3

onsemi

2,94000 Kč