
SIS892DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIS892DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS892DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS892DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIS892DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 49 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 4,5V, 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 29mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 21.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 611 pF @ 50 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 44,94000 Kč | 44,94 Kč |
| 10 | 28,70400 Kč | 287,04 Kč |
| 100 | 19,45250 Kč | 1 945,25 Kč |
| 500 | 15,49400 Kč | 7 747,00 Kč |
| 1 000 | 14,77839 Kč | 14 778,39 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 12,60566 Kč | 37 816,98 Kč |
| 6 000 | 12,07385 Kč | 72 443,10 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 44,94000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 54,37740 Kč |






