N-kanál 100 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS890DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIS890DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SIS890DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SIS890DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIS890DN-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce
49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIS890DN-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
23,5mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
802 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu
SIS890
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 39 697
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
143,68000 Kč43,68 Kč
1027,90600 Kč279,06 Kč
10018,81630 Kč1 881,63 Kč
50014,92580 Kč7 462,90 Kč
1 00013,67453 Kč13 674,53 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 00012,08610 Kč36 258,30 Kč
6 00011,28678 Kč67 720,68 Kč
9 00010,87974 Kč97 917,66 Kč
15 00010,63024 Kč159 453,60 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:43,68000 Kč
Jednotková cena s DPH:52,85280 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

33,81000 Kč
RCLAMP3304NATCT

RCLAMP3304NATCT

TVS DIODE 3.3VWM 18V SLP2626P10

Semtech Corporation

36,33000 Kč
VOM1271T

VOM1271T

OPTOISO 3.75KV 1CH PHVOLT 4-SOP

Vishay Semiconductor Opto Division

40,53000 Kč
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

44,94000 Kč
MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F

TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3

Diodes Incorporated

4,20000 Kč
SIS890ADN-T1-GE3

SIS890ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK

Vishay Siliconix

30,24000 Kč
SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK

Vishay Siliconix

19,53000 Kč
TPS62063DSGT

TPS62063DSGT

IC REG BUCK 3.3V 1.6A 8WSON

Texas Instruments

52,29000 Kč
1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

DIODE STANDARD 75V 150MA SOD323

Diodes Incorporated

2,10000 Kč
PSMN040-100MSEX

PSMN040-100MSEX

MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33

Nexperia USA Inc.

28,98000 Kč