Name: SIS892ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS892ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 40.9101 CZK
Availability: InStock

SIS892ADN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIS892ADN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS892ADN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS892ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIS892ADN-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce	49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 28A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIS892ADN-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	28A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	33mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	19.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	550 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu	SIS892

Jednotková cena bez DPH:	33,81000 Kč
Jednotková cena s DPH:	40,91010 Kč

SIS892ADN-T1-GE3