Name: FDMC86259P
Brand: onsemi
SKU: FDMC86259PTR-ND
Price: 109.505 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMC86259P
Číslo produktu DigiKey	FDMC86259PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMC86259PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMC86259PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMC86259P
Popis	MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Standardní dodací lhůta výrobce	43 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 150 V 3,2A (Ta), 13A (Tc) 2,3W (Ta), 62W (Tc) Montáž na povrch Power33
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDMC86259P Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 32 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2045 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,3W (Ta), 62W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra Power33
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,2A (Ta), 13A (Tc)	Pouzdro 8-PowerWDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDMC86259
Rds zap (max) při Id, Vgs 107mOhm při 3A, 10V