Name: SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA99DP-T1-GE3TR-ND
Price: 86.7086 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIRA99DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIRA99DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIRA99DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIRA99DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIRA99DP-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 47,9A (Ta), 195A (Tc) 6,35W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIRA99DP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	47,9A (Ta), 195A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,7mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (max)	+16V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10955 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,35W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIRA99

Jednotková cena bez DPH:	71,66000 Kč
Jednotková cena s DPH:	86,70860 Kč

SIRA99DP-T1-GE3