Name: BSC030P03NS3GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC030P03NS3GAUMA1TR-ND
Price: 68.7764 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSC030P03NS3GAUMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC030P03NS3GAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC030P03NS3GAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC030P03NS3GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC030P03NS3GAUMA1
Popis	MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 25,4A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC030P03NS3GAUMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	25,4A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,1V při 345µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	14000 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-1
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC030

Jednotková cena bez DPH:	56,84000 Kč
Jednotková cena s DPH:	68,77640 Kč

BSC030P03NS3GAUMA1