Name: SIR871DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR871DP-T1-GE3TR-ND
Price: 76.472 CZK
Availability: OutOfStock

SIR871DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR871DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR871DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR871DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR871DP-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 48A (Tc) 89W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR871DP-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	48A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3395 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	89W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR871

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	18,72392 Kč	56 171,76 Kč
6 000	17,61207 Kč	105 672,42 Kč

Jednotková cena bez DPH:	63,20000 Kč
Jednotková cena s DPH:	76,47200 Kč

SIR871DP-T1-GE3