Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHW70N60EF-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHW70N60EF-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHW70N60EF-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD |
Standardní dodací lhůta výrobce | 26 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHW70N60EF-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 380 nC @ 10 V |
Balení Trubice | Vgs (max) ±30V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7500 pF @ 100 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 520W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-247AD |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 38mOhm při 35A, 10V | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 235 | 742-SIHG70N60EF-GE3-ND | 316,17000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| FCH041N60E | onsemi | 731 | FCH041N60E-ND | 301,99000 Kč | Similar |
| FCH041N65EF-F155 | onsemi | 358 | FCH041N65EF-F155OS-ND | 334,73000 Kč | Similar |
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | 1 412 | 448-IPW60R040C7XKSA1-ND | 316,38000 Kč | Similar |
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 527 | 448-IPW60R045CPAFKSA1-ND | 454,02000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 480 | 174,68698 Kč | 83 849,75 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 174,68698 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 211,37125 Kč |













