Name: SIHW70N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHW70N60EF-GE3-ND
Price: 172.73978 CZK
Availability: OutOfStock

SIHW70N60EF-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHW70N60EF-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHW70N60EF-GE3
Popis	MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIHW70N60EF-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	70A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	38mOhm při 35A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	380 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7500 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	520W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AD
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SIHW70

Jednotková cena bez DPH:	142,76015 Kč
Jednotková cena s DPH:	172,73978 Kč

SIHW70N60EF-GE3