Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IPW65R041CFDFKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IPW65R041CFDFKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPW65R041CFDFKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 68,5A (Tc) 500W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 3,3mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 300 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8400 pF @ 100 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 500W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-1 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 41mOhm při 33,1A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 109 | IPW65R041CFDFKSA2-ND | 330,14000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | 326,60000 Kč | Similar |
| SIHG70N60AEF-GE3 | Vishay Siliconix | 35 | 742-SIHG70N60AEF-GE3-ND | 284,47000 Kč | Similar |
| STW69N65M5 | STMicroelectronics | 461 | 497-12987-5-ND | 284,68000 Kč | Similar |
| STW72N60DM2AG | STMicroelectronics | 375 | 497-16130-5-ND | 191,04000 Kč | Similar |








