SIHP22N60EL-GE3 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Similar

AOT27S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 3 074
Jednotková cena : 119,06000 Kč
Katalogový list

Similar

IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
Skladem : 37
Jednotková cena : 76,43000 Kč
Katalogový list

Similar

IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
Skladem : 13
Jednotková cena : 93,86000 Kč
Katalogový list

Similar

IPP65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar

IPP65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar

IXFP22N65X2
IXYS
Skladem : 4 978
Jednotková cena : 143,00000 Kč
Katalogový list

Similar

IXTP24N65X2
IXYS
Skladem : 254
Jednotková cena : 152,45000 Kč
Katalogový list

Similar

TK16E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 31
Jednotková cena : 93,86000 Kč
Katalogový list

Similar

TPH3206PD
Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHP22N60EL-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHP22N60EL-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHP22N60EL-GE3
Popis
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
21A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
197mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1690 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
227W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
TO-220-3
Základní číslo produktu
SIHP22
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Zkontrolovat dodací lhůtu
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00039,10878 Kč39 108,78 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:39,10878 Kč
Jednotková cena s DPH:47,32162 Kč