Name: SIHH080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHH080N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 151.0443 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHH080N60E-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIHH080N60E-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIHH080N60E-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIHH080N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHH080N60E-T1-GE3
Popis	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 32A (Tc) 184W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 8x8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	E
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	32A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	80mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2557 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	184W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 8x8
Pouzdro	8-PowerTDFN