Name: SIHG11N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG11N80E-GE3-ND
Price: 49.62021 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SIHG11N80E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHG11N80E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHG11N80E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	E
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	440mOhm při 5,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1670 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	179W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AC
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SIHG11

Jednotková cena bez DPH:	41,00844 Kč
Jednotková cena s DPH:	49,62021 Kč

SIHG11N80E-GE3