IPW65R420CFDFKSA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPW65R420CFDFKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 300

Jednotková cena : 65,89000 Kč

Similar

Microchip Technology

Skladem : 88

Jednotková cena : 94,09000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Similar

Vishay Siliconix

Skladem : 0

Jednotková cena : 41,44156 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPW65R420CFDFKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPW65R420CFDFKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPW65R420CFDFKSA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 8,7A (Tc) 83,3W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8,7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	420mOhm při 3,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 340µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	870 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	83,3W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-3-1
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	IPW65R420