SIHD7N60ET4-GE3 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,84813 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 30
Jednotková cena : 2,49000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,68168 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,61440 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 8 734
Jednotková cena : 2,29000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 345
Jednotková cena : 4,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 193
Jednotková cena : 2,54000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,11000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,21000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 4 098
Jednotková cena : 3,74000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHD7N60ET4-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHD7N60ET4-GE3-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHD7N60ET4-GE3
Popis
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
40 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±30V
Balení
Páska a cívka (TR)
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
680 pF @ 100 V
Stav součásti
Aktivní
Rozptylový výkon (Max)
78W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
600mOhm při 3,5A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (10)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
SIHD7N60E-E3Vishay Siliconix0SIHD7N60E-E3-ND0,84813 KčParametrický ekvivalent
SIHD7N60E-GE3Vishay Siliconix30SIHD7N60E-GE3-ND2,49000 KčParametrický ekvivalent
SIHD7N60ET1-GE3Vishay Siliconix0742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND0,68168 KčParametrický ekvivalent
SIHD7N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHD7N60ET5-GE3-ND0,61440 KčParametrický ekvivalent
IPD80R450P7ATMA1Infineon Technologies8 734IPD80R450P7ATMA1CT-ND2,29000 KčSimilar
K dispozici pro objednání
Zkontrolovat dodací lhůtu
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Všechny ceny jsou v CZK
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 00015,17952 Kč45 538,56 Kč
6 00014,96108 Kč89 766,48 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:15,17952 Kč
Jednotková cena s DPH:18,36722 Kč