Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHD7N60ET4-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHD7N60ET4-GE3-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHD7N60ET4-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 40 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Páska a cívka (TR) | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 680 pF @ 100 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 78W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 600mOhm při 3,5A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | 0,84813 Kč | Parametrický ekvivalent |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 30 | SIHD7N60E-GE3-ND | 2,49000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| SIHD7N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND | 0,68168 Kč | Parametrický ekvivalent |
| SIHD7N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET5-GE3-ND | 0,61440 Kč | Parametrický ekvivalent |
| IPD80R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | 8 734 | IPD80R450P7ATMA1CT-ND | 2,29000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 15,17952 Kč | 45 538,56 Kč |
| 6 000 | 14,96108 Kč | 89 766,48 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 15,17952 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 18,36722 Kč |









