N-kanál 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHD7N60E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHD7N60E-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHD7N60E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SIHD7N60E-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
600mOhm při 3,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
680 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
78W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
DPAK
Pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu
SIHD7
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 80
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
161,52000 Kč61,52 Kč
1039,79100 Kč397,91 Kč
10027,36040 Kč2 736,04 Kč
50022,04118 Kč11 020,59 Kč
1 00020,33152 Kč20 331,52 Kč
3 00018,16208 Kč54 486,24 Kč
6 00017,07095 Kč102 425,70 Kč
12 00017,00838 Kč204 100,56 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:61,52000 Kč
Jednotková cena s DPH:74,43920 Kč