Name: SIHB33N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60ET1-GE3TR-ND
Price: 185.4809 CZK
Availability: OutOfStock

SIHB33N60ET1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHB33N60ET1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIHB33N60ET1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIHB33N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHB33N60ET1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	E
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	33A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	99mOhm při 16,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3508 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	278W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SIHB33

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
800	60,33276 Kč	48 266,21 Kč
1 600	58,26945 Kč	93 231,12 Kč

Jednotková cena bez DPH:	153,29000 Kč
Jednotková cena s DPH:	185,48090 Kč

SIHB33N60ET1-GE3