IPB65R125C7ATMA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IPB65R125C7ATMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Direct

Infineon Technologies

Skladem : 998

Jednotková cena : 102,93000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 372

Jednotková cena : 102,30000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 220

Jednotková cena : 164,61000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB65R125C7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB65R125C7ATMA1-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB65R125C7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ C7
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	125mOhm při 8,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 440µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1670 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	101W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB65R