Parametrický ekvivalent



SIHB17N80E-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIHB17N80E-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIHB17N80E-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIHB17N80E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB17N80E-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 800 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 290mOhm při 8,5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 122 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2408 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 208W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263 (D2PAK) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 133,34000 Kč | 133,34 Kč |
| 10 | 89,26200 Kč | 892,62 Kč |
| 100 | 64,27700 Kč | 6 427,70 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 800 | 51,24615 Kč | 40 996,92 Kč |
| 1 600 | 48,37414 Kč | 77 398,62 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 133,34000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 161,34140 Kč |


