


SIHB17N80E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIHB17N80E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB17N80E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 800 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 290mOhm při 8,5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 122 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2408 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 208W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263 (D2PAK) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 133,13000 Kč | 133,13 Kč |
| 10 | 89,13700 Kč | 891,37 Kč |
| 100 | 64,19090 Kč | 6 419,09 Kč |
| 500 | 53,55246 Kč | 26 776,23 Kč |
| 1 000 | 50,13797 Kč | 50 137,97 Kč |
| 2 000 | 48,29540 Kč | 96 590,80 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 133,13000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 161,08730 Kč |



